CTMicro,亿光,LITEON,光耦合器,河南EL1019贴片光耦性能可靠

光电耦合器分为两种：一种为非线性光耦，另一种为线性光耦。非线性光耦的电流传输特性曲线是非线性的，这类光耦适合于开关信号的传输，不适合于传输模拟量。常用的4N系列光耦属于非线性光耦。
线性光耦的电流传输特性曲线接近直线，并且小信号时性能较好，能以线性特性进行隔离控制。常用的线性光耦是PC817A—C系列。

按封装形式分，可分为同轴型，双列直插型，TO封装型，扁平封装型，贴片封装型，以及光纤传输型
按传输信号分，可分为数字型光电耦合器（OC门输出型，图腾柱输出型及三态门电路输出型等）和线性光电耦合器（可分为低漂移型，高线性型，宽带型，单电源型，双电源型等）。
按速度分，可分为低速光电耦合器（光敏三极管、光电池等输出型）和高速光电耦合器（光敏二极管带信号处理电路或者光敏集成电路输出型）。
按通道分，可分为单通道，双通道和多通道光电耦合器。
按隔离特性分，可分为普通隔离光电耦合器（一般光学胶灌封低于5000V，空封低于2000V）和高压隔离光电耦合器（可分为10kV，20kV，30kV等）。
按工作电压分，可分为低电源电压型光电耦合器（一般5～15V）和高电源电压型光电耦合器（一般大于30V）。

二、输出特性
光耦合器的输出特性实际也就是其内部光敏三极管的特性，与普通的三极管类似。常见的参数有：
1. 集电极电流Ic（Collector Current）
光敏三极管集电极所流过的电流，通常表示其大值。
2. 集电极-发射极电压Vceo（C-E Voltage）
集电极-发射极所能承受的电压。
3. 发射极-集电极电压Veco（E-C Voltage）
发射极-集电极所能承受的电压
4. 反向截止电流Iceo
5. C-E饱和电压Vce(sat)（C-E Saturation Voltage）

四、传输特性：
1．电流传输比CTR（Current Transfer Radio）
2．上升时间Tr （Rise Time）& 下降时间Tf（Fall Time）
其它参数诸如工作温度、耗散功率等不再一一敷述。
CT Micro's 采用双模塑共面 (DMC-Isolator ® ) 封装技术，该技术采用特的封装材料和工艺配方设计，可提供的可靠性和隔离性能的光耦合器。

二色成型共面（DMC-隔离®）优势。

的隔离性能
在升高的温度下具有一致的传输特性性能
固定内部隔离间隙（通过绝缘的厚度）。
无铅且符合 RoHS。
CT Micro 的主要目标是朝着零缺陷迈进。为了实现这一目标，CT Micro 对从设计、制造到测试的质量进行了严格的控制。由于我们的旅程从设计开始，因此在此阶段使用 DFMEA 来理解和识别设计，以便尽早进行改进。在制造过程中，使用统计过程控制（SPC）来监控每个过程，以严密的 UCL 和 LCL 来保持过程控制的严密。这仅允许很小的偏差，确保良好和稳定的过程。在我们的测试中使用了多个测试，以确保测试程序将有效地筛选所有缺陷。保持我们对质量CT 的承诺Micro 会定期执行实时可靠性 (RTR)，以确保产品符合要求的质量标准。

CT Micro 将继续致力于打造满足并客户对质量、可靠性和服务期望的产品。